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IPB049NE7N3 G

20V-300V N-Channel Power MOSFET; ? 針對同步整流進(jìn)行技術(shù)優(yōu)化\n? 優(yōu)異的開關(guān)性能\n? 世界較低的 (RDs(on))\n? 極低的 Qg 和 Qgd\n? 出色的柵極電荷 x R DS(on)產(chǎn)品(FOM)\n? 符合 RohS - 無鹵素\n? MSL3 評級\n\n優(yōu)勢:\n? 環(huán)保\n? 提高效率\n? 極高的功率密度\n? 減少所需的并聯(lián)\n? 極低的板空間消耗\n? 產(chǎn)品易于設(shè)計(jì)\n;

75V OptiMOS?技術(shù)專注于同步整流應(yīng)用。基于領(lǐng)先的80V技術(shù),這些75V產(chǎn)品同時(shí)具有極低的導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能。\n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB049NE7N3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IPB049NE7N3G

OptiMOSTM3Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPB054N08N3G

英飛凌
TO-263

英飛凌

相關(guān)企業(yè):深圳市恒星亞創(chuàng)科技有限公司

英飛凌

IPB054N08N3G

INFINEON/英飛凌
TO-263

INFINEON/英飛凌

相關(guān)企業(yè):深圳臺格電子科技有限公司

INFINEON/英飛凌

技術(shù)參數(shù)

  • OPN:

    IPB049NE7N3GATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO263-3

  • VDS max:

    75 V

  • RDS (on) @10V max:

    4.9 m?

  • ID @25°C max:

    80 A

  • QG typ @10V:

    51 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    175 °C

  • Technology:

    OptiMOS? 3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON
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D2PAK(TO-263)
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只做原裝正品
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TO-263
32000
原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)
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24+
TO-263-3
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一級代理進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價(jià)格合理
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D2PAK (TO-263)
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100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營
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INFINEON/英飛凌
23+
TO-263-3
12500
代理原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢
詢價(jià)
Infineon
1931+
N/A
2000
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更多IPB049NE7N3 G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 10:19:00