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IPB021N06N3G中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IPB021N06N3G
廠商型號

IPB021N06N3G

功能描述

OptiMOS?? Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.

絲印標(biāo)識

021N06N

封裝外殼

PG-TO263-3

文件大小

483.71 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
INFINEON
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-1 20:07:00

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IPB021N06N3G規(guī)格書詳情

特性 Features

? Ideal for high frequency switching and sync. rec.

? Optimized technology for DC/DC converters

? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

? Very low on-resistance RDS(on)

? N-channel, normal level

? 100 avalanche tested

? Pb-free plating; RoHS compliant

? Qualified according to JEDEC1) for target applications

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    IPB021N06N3G

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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