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IPA80R1K2P7

效率和散熱性能的新基準(zhǔn); ? 同類(lèi)中較為出色的 FOM R DS(on) * E oss; 降低 Qg, C iss 和 C oss\n? 同類(lèi)中較為出色的 DPAK R DS(on) 280mΩ\n? 同類(lèi)中較為出色的 V (GS)th,3V,和最小 V (Gs)th 變動(dòng) ± 0.5V\n? 集成齊納二極管 ESD 保護(hù),最高可達(dá) 2 級(jí)(HBM)\n? 出色的質(zhì)量和可靠性\n? 完全優(yōu)化的組合\n\n優(yōu)勢(shì):\n? 比之CoolMOS C3,此系列可提供0.1%至0.6%的效率增益,MOSFET溫度降低2°C至8°C。\n? 支持更高的功率密度設(shè)計(jì)、節(jié)省BOM和降低裝配成本\n? 易于驅(qū)動(dòng)和設(shè)計(jì)\n? 通過(guò)減少ESD相關(guān)故障,提高產(chǎn)量\n? 減少生產(chǎn)問(wèn)題,減少外部退貨\n? 易于選擇合適的零件來(lái)優(yōu)化設(shè)計(jì)\n;

800V CoolMOS? P7超結(jié)MOSFET系列完全適合低功率SMPS應(yīng)用,可完全滿足性能,易用性和性價(jià)比等市場(chǎng)需求。它主要側(cè)重于反激式應(yīng)用,包括適配器和充電器,LED驅(qū)動(dòng)器,音頻SMPS,輔助和工業(yè)電源。\n 與其前代產(chǎn)品相比,這一新產(chǎn)品系列可提供高達(dá)0.6%的效率增益;與典型反激式應(yīng)用中測(cè)試的其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品想相比,MOSFET溫度降低2°C至8°C。它還通過(guò)降低開(kāi)關(guān)損耗和改善DPAK R DS(on)產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)更高功率密度的設(shè)計(jì)??偠灾?,這有助于客戶節(jié)省物料成本,減少組裝工作量。\n

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IPA80R1K2P7

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/80r1k2p7/marking.html">80R1K2P7;Package:PG-TO220FullPAK;800V CoolMOS? P7 Power Transistor

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800VCoolMOS?P7PowerTransistor

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800VCoolMOSaP7PowerDevice

Features ?Best-in-classFOMRDS(on)*Eoss;reducedQg,Ciss,andCoss ?Best-in-classDPAKRDS(on) ?Best-in-classV(GS)thof3VandsmallestV(GS)thvariationof±0.5V ?IntegratedZenerDiodeESDprotection ?Fullyoptimizedportfolio

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技術(shù)參數(shù)

  • OPN:

    IPA80R1K2P7XKSA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TO220-3

  • VDS max:

    800 V

  • RDS (on) @10V max:

    1200 m?

  • ID @25°C max:

    4.5 A

  • QG typ @10V:

    11 nC

  • Special Features:

    price/performance

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • VGS(th) min:

    2.5 V

  • VGS(th) max:

    3.5 V

  • Technology:

    CoolMOS? P7

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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TO-220FP-3
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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更多IPA80R1K2P7供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 16:12:00