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IPU60R1K0CE

600VCoolMOS?CEPowerTransistor

Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss ?Veryhighcommutationruggedness ?Easytouse/drive ?Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound ?Qualifiedforstandardgradeapplications

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

MMD60R1K0RFZ

600V1.0?N-channelMOSFET

?Description MMD60R1K0RFZispowerMOSFETusingMagnachip’sadvancedsuperjunctiontechnologythat canrealizeverylowon-resistanceandgatecharge.Itwillprovidemuchhighefficiencybyusing optimizedchargecouplingtechnology.TheseuserfriendlydevicesgiveanadvantageofLowEMIt

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMD60R1K0RFZRH

600V1.0?N-channelMOSFET

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MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMFA60R1K0RFZ

600V1.0?N-channelMOSFET

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MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMFA60R1K0RFZTH

600V1.0?N-channelMOSFET

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MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

技術參數(shù)

  • OPN：

    IPA60R1K0CEXKSA1

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    PG-TO220-3

  • VDS max：

    600 V

  • RDS (on) @10V max：

    1000 m?

  • ID @25°C max：

    6.8 A

  • QG typ @10V：

    13 nC

  • Special Features：

    price/performance

  • Polarity：

    N

  • Operating Temperature min：

    -40 °C

  • Operating Temperature max：

    150 °C

  • VGS(th) min：

    2.5 V

  • VGS(th) max：

    3.5 V

  • Technology：

    CoolMOS? CE

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更多IPA60R1K0CE供應商 更新時間2025-7-28 20:12:00

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