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IPA60R190P6中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

IPA60R190P6
廠商型號(hào)

IPA60R190P6

功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

6R190P6

封裝外殼

PG-TO220FullPAK

文件大小

3.10731 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

19 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-1 23:00:00

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IPA60R190P6規(guī)格書詳情

描述 Description

CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepower

MOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleand

pioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?P6seriescombinesthe

experienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.

TheoffereddevicesprovideallbenefitsofafastswitchingSJMOSFET

whilenotsacrificingeaseofuse.Extremelylowswitchingandconduction

lossesmakeswitchingapplicationsevenmoreefficient,morecompact,

lighterandcooler.

特性 Features

?IncreasedMOSFETdv/dtruggedness

?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss

?Veryhighcommutationruggedness

?Easytouse/drive

?Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound

?QualifiedforindustrialgradeapplicationsaccordingtoJEDEC(J-STD20

andJESD22)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IPA60R190P6

  • 功能描述:

    MOSFET 600V CoolMOS P6 MOSFET 190 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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