描述 Description

InnoSwitch3系列IC可極大簡(jiǎn)化低壓大電流電源的開發(fā)和制造，尤其是那些采用緊湊外殼或需要滿足高效率要求的電源。InnoSwitch的架構(gòu)極具革新性，因?yàn)樵撈骷瑫r(shí)將初級(jí)和次級(jí)控制器以及檢測(cè)元件和符合安全標(biāo)準(zhǔn)的反饋機(jī)制集成到了單個(gè)IC中。

由于元件參數(shù)一致性更好并且創(chuàng)新地采用了集成通訊鏈路FluxLink，因此能夠?qū)Υ渭?jí)側(cè)同步整流MOSFET進(jìn)行精確控制以及對(duì)初級(jí)側(cè)集成高壓MOSFET進(jìn)行準(zhǔn)諧振開關(guān)，從而在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)維持高效率。

特性 Features

高度集成，外形緊湊
? 高達(dá)94%整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的效率
? 集成了多模式準(zhǔn)諧振(QR)/CCM反激式控制器、650 V MOSFET、次級(jí)側(cè)檢測(cè)和同步整流驅(qū)動(dòng)器
? 反饋方式采用內(nèi)部集成的FluxLink技術(shù)，且滿足HIPOT（高壓絕緣）要求
? 優(yōu)異的CV/CC精度，不受變壓器設(shè)計(jì)或外圍元件的影響
? 采用外部電流檢測(cè)電阻，可設(shè)定精確的恒流輸出

EcoSmart – 高效節(jié)能
? 在230 VAC下空載功耗< 15 mW（包括輸入采樣功耗）
? 輕松滿足全球所有能效標(biāo)準(zhǔn)
? 低散熱

先進(jìn)的保護(hù)/安全特性
? 650 V功率MOSFET
? 初級(jí)及次級(jí)檢測(cè)的輸出過壓保護(hù)
? 次級(jí)FET/二極管短路保護(hù)
? SR FET柵極驅(qū)動(dòng)開路檢測(cè)
? 快速的輸入欠壓/過壓保護(hù)

更多可選特性
? 多項(xiàng)輸出線電壓降補(bǔ)償設(shè)置
? 可變的輸出恒流特性
? 自動(dòng)重啟動(dòng)或鎖存故障響應(yīng)輸出過壓/欠壓保護(hù)
? 多個(gè)欠壓保護(hù)故障閾值
? 鎖存或遲滯初級(jí)側(cè)過溫保護(hù)

完全符合各項(xiàng)安規(guī)要求
? 加強(qiáng)絕緣
? 絕緣強(qiáng)度>4000 VAC
? 產(chǎn)品100%進(jìn)行HIPOT合規(guī)性測(cè)試
? 通過UL1577和TUV (EN60950, EN62368)安全認(rèn)證
? 可使設(shè)計(jì)達(dá)到整套EN61000-4測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的A級(jí)性能要求，包括EN61000-4-2、4-3 (30 V/m)、4-4、4-5、4-6、4-8 (100 A/m)及4-9 (1000 A/m)