1零件狀態(tài)在售

FET 類型P 通道

技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）20 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)860mA（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）150 毫歐 @ 950mA，4.5V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）1V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）5.6 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）±8V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）458 pF @ 16 V

FET 功能-

功率耗散（最大值）170mW（Ta）

工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）

等級-

資質(zhì)-

安裝類型表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝SOT-563

封裝/外殼SOT-563，SOT-666

基本產(chǎn)品編號(hào)NTZS3151