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手機(jī)高溫禁區(qū)突圍!英麥科半導(dǎo)體薄膜電感160℃·1000H極限實(shí)驗(yàn)可靠性實(shí)證報(bào)告

2025-4-17 22:49:00
  • 5G手機(jī)主板局部溫度突破95℃(快充芯片/射頻前端/圖像處理器區(qū)域)


手機(jī)心臟的"烤"驗(yàn)戰(zhàn)場

手機(jī)高溫禁區(qū)突圍!英麥科半導(dǎo)體薄膜電感160℃·1000H極限實(shí)驗(yàn)可靠性實(shí)證報(bào)告

5G手機(jī)主板局部溫度突破95℃(快充芯片/射頻前端/圖像處理器區(qū)域)

"當(dāng)你的手機(jī):

邊快充邊玩《悟空》時(shí) →電感溫度飆升至110℃


4K視頻連續(xù)拍攝時(shí) →電感持續(xù)工作在85℃+


地鐵刷劇1小時(shí)后 →主板形成局部高溫區(qū)


傳統(tǒng)電感正在經(jīng)歷材料疲勞的隱形崩塌..."

手機(jī)高溫禁區(qū)突圍!英麥科半導(dǎo)體薄膜電感160℃·1000H極限實(shí)驗(yàn)可靠性實(shí)證報(bào)告

1. 實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對比(嚴(yán)于車載產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn))


手機(jī)高溫禁區(qū)突圍!英麥科半導(dǎo)體薄膜電感160℃·1000H極限實(shí)驗(yàn)可靠性實(shí)證報(bào)告


2. 實(shí)驗(yàn)前后形態(tài)對比(產(chǎn)品內(nèi)、外部無開裂情形)



3、性能驗(yàn)證:同規(guī)格產(chǎn)品與某臺(tái)系規(guī)格參數(shù)比對試驗(yàn)后平均降幅小

手機(jī)高溫禁區(qū)突圍!英麥科半導(dǎo)體薄膜電感160℃·1000H極限實(shí)驗(yàn)可靠性實(shí)證報(bào)告

· L值測試設(shè)備:Keysight E4980A LCR表(精度0.05%)


· DCR值測試設(shè)備:Keysight E4980A LCR表(精度0.05%)




手機(jī)高溫禁區(qū)突圍!英麥科半導(dǎo)體薄膜電感160℃·1000H極限實(shí)驗(yàn)可靠性實(shí)證報(bào)告




4、技術(shù)解析:為何能通過地獄級考驗(yàn)?



① 材料革命


160℃高溫測試材料磁導(dǎo)率變化曲線:(250H~1000H材料變化率低)

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② 成型工藝對比



英麥科-液態(tài)等靜壓成型工藝


全方位溫度壓力控制:


外層/核心層:200℃快速固化→形成保護(hù)殼,消除內(nèi)應(yīng)力


VS


臺(tái)系品牌-機(jī)械模壓成型工藝


傳統(tǒng)機(jī)械式模壓


成型壓力:6噸、20噸、30噸、60噸


單顆產(chǎn)品受力約400~500kg,受模具影響,


產(chǎn)品受力不均,線圈易變形,且居中度不佳



③ 材料對比



英麥科—耐高溫介質(zhì)材料


玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg):280℃(競品180℃)


熱膨脹系數(shù)(CTE):2.8ppm/℃(競品5.5ppm/℃)


VS


其他品牌——常規(guī)材料,磷化工藝搭配樹脂混合使用



可靠性提升公式


MTBF(XX) = e^(ΔT/10) × MTBF(常規(guī))


(ΔT=驗(yàn)證溫差35℃ → 理論壽命提升32倍)