2024年，第三代半導體行業(yè)經(jīng)歷了快速發(fā)展與挑戰(zhàn)并存的一年。在清潔能源、新能源汽車等傳統(tǒng)應用場景持續(xù)滲透的同時，行業(yè)也迎來了數(shù)據(jù)中心電源、機器人、低空經(jīng)濟等新興領(lǐng)域的需求增長。然而，隨著碳化硅（SiC）行業(yè)的大規(guī)模擴產(chǎn)，市場需求增速低于預期，行業(yè)競爭加劇，部分企業(yè)未能熬過淘汰賽階段。以下是2024年全球碳化硅和氮化鎵（GaN）領(lǐng)域的十大重大事件盤點：

1. 兩家美國垂直GaN初創(chuàng)公司倒閉

2024年初，美國兩家專注于垂直GaN器件的初創(chuàng)公司接連倒閉：

NexGen Power Systems于1月宣布破產(chǎn)。

Odyssey于3月出售晶圓廠資產(chǎn)后解散。

垂直GaN器件因采用GaN單質(zhì)襯底，具備高性能和可靠性，但高昂的制造成本成為商業(yè)化的主要障礙。盡管學術(shù)界提出了基于SiC襯底的解決方案，但成本難題仍未解決，最終導致這些公司在量產(chǎn)前倒下。

2. PI收購Odyssey資產(chǎn)

2024年5月，**PI（Power Integrations）**宣布收購Odyssey的全部資產(chǎn)，并吸納其核心技術(shù)團隊。PI計劃將高電流高電壓GaN技術(shù)商業(yè)化，用于取代碳化硅器件，特別是在汽車充電樁、太陽能逆變器等應用中，以更低成本提供更高性能。

3. 功率GaN進入1700V時代

2024年，GaN器件耐壓性能進一步提升：

致能科技與西安電子科技大學等合作，在6英寸藍寶石襯底上成功研發(fā)出1700V GaN HEMT器件。

PI推出全球首款1700V GaN開關(guān)IC（InnoMux-2系列），適用于汽車充電樁、太陽能逆變器等高功率應用，進一步推動GaN器件在高壓市場的滲透。

4. 比亞迪新建全球最大碳化硅工廠

2024年6月，比亞迪宣布其新建的碳化硅工廠預計下半年投產(chǎn)，產(chǎn)能規(guī)模為全球第一，是第二名的十倍。

比亞迪已在碳化硅領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈布局，具備從SiC晶圓到功率模塊的完整能力。其1200V SiC功率模塊已應用于新能源汽車，未來產(chǎn)能提升將進一步增強其市場競爭力。

5. 英飛凌啟用全球最大SiC晶圓廠

2024年8月，英飛凌位于馬來西亞居林的8英寸SiC晶圓廠一期項目正式投產(chǎn)，投資額高達20億歐元。該工廠獲得約50億歐元設(shè)計訂單，其中10億歐元為預付款。

然而，由于市場需求放緩，英飛凌于11月宣布推遲居林工廠二期建設(shè)計劃，并下調(diào)2025財年的資本支出。

6. Wolfspeed擱置德國SiC工廠計劃

2024年10月，Wolfspeed宣布無限期擱置其在德國薩爾州的30億美元SiC晶圓廠建設(shè)計劃。盡管此前與采埃孚合作建立聯(lián)合實驗室，但因融資問題和市場需求疲軟，該項目被推遲至2025年后再啟動。

7. SiC襯底進入12英寸時代

2024年，碳化硅襯底技術(shù)取得突破：

天岳先進發(fā)布首款300mm（12英寸）碳化硅襯底。

博雅新材和中電科爍科晶體也分別展示了12英寸碳化硅晶錠和高純半絕緣襯底。

12英寸襯底的應用將顯著提升芯片產(chǎn)量并降低單位成本，為碳化硅的大規(guī)模應用奠定基礎(chǔ)。

8. 安森美收購UnitedSiC

2024年12月，安森美以1.15億美元收購Qorvo旗下UnitedSiC業(yè)務(wù)，補充其EliteSiC產(chǎn)品線。

UnitedSiC的SiC JFET技術(shù)適用于數(shù)據(jù)中心電源的中小功率應用，安森美計劃借此擴展AI數(shù)據(jù)中心和固態(tài)斷路器等新興市場的布局。

9. 世紀金光破產(chǎn)清算

2024年11月，北京世紀金光半導體有限公司因資金鏈斷裂被法院受理破產(chǎn)清算。

作為國內(nèi)最早的SiC IDM企業(yè)之一，世紀金光曾布局全產(chǎn)業(yè)鏈，并計劃投資35億元建設(shè)SiC芯片產(chǎn)線。然而，因市場競爭激烈和資金問題，最終未能走出困境。