作為一款由Nexperia USA Inc.制造的分立半導(dǎo)體產(chǎn)品，BUK9M7R2-40E晶體管FET是一款高性能、高可靠性的MOSFET晶體管。本文將為您介紹BUK9M7R2-40E的特點(diǎn)、技術(shù)參數(shù)和應(yīng)用領(lǐng)域，幫助您深入了解這款產(chǎn)品，為您的應(yīng)用提供更加優(yōu)質(zhì)的解決方案。

1.產(chǎn)品特點(diǎn)

BUK9M7R2-40E晶體管FET是一款帶有絕緣柵的功率MOSFET晶體管。它具有以下特點(diǎn)：

(1) 低開啟電阻：該產(chǎn)品的低開啟電阻可實現(xiàn)更高的開關(guān)效率和更低的靜態(tài)功耗。

(2) 高壓絕緣：BUK9M7R2-40E晶體管FET的最大公稱工作電壓為40V，具有良好的高壓絕緣性能。

(3) 快速開關(guān)速度：MOSFET晶體管在開關(guān)過程中具有非?？焖俚捻憫?yīng)速度，BUK9M7R2-40E晶體管FET的開關(guān)速度高，能夠滿足高速開關(guān)應(yīng)用的需求。

(4) 高可靠性：該產(chǎn)品具有優(yōu)異的抗電源噪聲和抗環(huán)境干擾能力，可在各種嚴(yán)苛的環(huán)境條件下穩(wěn)定工作。

2. 技術(shù)參數(shù)

BUK9M7R2-40E晶體管FET的主要技術(shù)參數(shù)如下：

(1) 最大漏極電壓：40V。

(2) 最大漏極電流：55A。

(3) 開態(tài)電阻：1.5mΩ。

(4) 絕緣電阻：1000MΩ。

(5) 雪崩能力：100%測試。

(6) 靜電放電抗性：2000V。

(7) 操作溫度范圍：-55℃到175℃。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域

BUK9M7R2-40E晶體管FET可應(yīng)用于大多數(shù)需要低開啟電阻和高速開關(guān)速度的直流至直流轉(zhuǎn)換器、半橋和全橋拓?fù)?、同步整流器，以及高速開關(guān)模式電源等電力應(yīng)用。此外，該產(chǎn)品還可用于汽車和工業(yè)應(yīng)用中的電源管理和電動機(jī)驅(qū)動等方面。

4. 綜述

在當(dāng)今電子產(chǎn)品的高速優(yōu)化市場中，BUK9M7R2-40E晶體管FET無疑是一個令人興奮的產(chǎn)品。它采用了先進(jìn)的MOSFET技術(shù)和高可靠性設(shè)計，使得它成為了目前市場上最好的選擇之一。作為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的領(lǐng)軍企業(yè)Nexperia USA Inc.生產(chǎn)的產(chǎn)品，BUK9M7R2-40E晶體管FET能夠滿足各種電力轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用的需求。如果您在尋找一款高性能的、具有良好抗電源噪聲和抗干擾能力的MOSFET晶體管，那么BUK9M7R2-40E晶體管FET將是您最佳的選擇。

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 FET，MOSFET 單 FET，MOSFET

制造商:Nexperia USA Inc.

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）:40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):70A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）:5.8 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）:19.7 nC @ 5 V

Vgs（最大值）:±10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）:2567 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）:79W（Tc）

工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）

封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）