產(chǎn)品狀態(tài)

在售

FET 類型

N 通道

技術(shù)

MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）

60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)

50A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）

9.2 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）

2V @ 35μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）

9.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）

880 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

46W（Tc）

工作溫度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型

表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝

5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封裝/外殼

8-PowerTDFN，5 引線