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1SMB5933B-13

2025-9-13 17:01:00
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1SMB5933B-13_N/A導(dǎo)讀

MOSFET有增強型和耗盡型兩大類,增強型和耗盡型每一類下面都有NMOS和PMOS。一般主板上使用多的是增強型MOS管,NMOS最多,一般多用在信號控制上,其次是PMOS,多用在電源開關(guān)等方面,耗盡型幾乎不用。增強型MOS管的英文為Enhancement MOS或者EMOS,耗盡型MOS管的英文為Depletion MOS或者DMOS。

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1SMB5916B-13

BYM826 BYM8311 BYM8315 BYH8415 BYM8415 。

BYM8615 BYH8638 BYN8610A BYM8628 BYN8222 。

BYS31511 BYH32025A BYS32026A BYP32027A BYF32028A 。

BYS3105 BYP3105 BYJ31020A BYH31012A BYJ31012A 。

1SMB5933B-13_N/A

DFN09106

BYM438 BYS441 BYN4458 BYE4625Z BYM4612 。

BYM4610 BYM4640 BYM4875 BYM81080 BYM81095 。

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

BYP31036 BYD31010A BYD31024A BYP31017 BYS31018 。

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至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導(dǎo)通時的電壓,Millier效應(yīng)影響變小,Cgd 電容變小并和Cgs 電容一起由外部驅(qū)動電壓充電, Cgs 電容的電壓上升,至t4時刻為止.此時C gs 電容電壓已達(dá)穩(wěn)態(tài),DS間電壓也達(dá)最小,MOSFET完全開啟。

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