制造商 Vishay Siliconix

數(shù)據(jù)列表 SI7100DN

標準包裝 3000

包裝 標準卷帶

零件狀態(tài) 停產(chǎn)

類別 分立半導體產(chǎn)品

產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

系列 TrenchFET?

其它名稱 SI7100DN-T1-E3TR

FET 類型 N 通道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 8V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 35A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 3.5 毫歐 @ 15A，4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 105nC @ 8V

Vgs（最大值） ±8V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 3810pF @ 4V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），52W（Tc）

工作溫度 -50°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 表面貼裝型

供應商器件封裝 PowerPAK? 1212-8

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