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SI3443DVTRPBF數(shù)據(jù)表

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TSOP-6

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V

Id-連續(xù)漏極電流: 4.4 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 65 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 12 V

Qg-柵極電荷: 11 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.1 mm

長度: 3 mm

晶體管類型: 1 P-Channel

類型: HEXFET Power MOSFET

寬度: 1.5 mm

商標(biāo): Infineon / IR

下降時間: 72 ns

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 33 ns

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間: 70 ns

典型接通延遲時間: 12 ns

零件號別名: SP001563096

單位重量: 20 mg