深圳市哲瀚電子科技一級(jí)代理OCX系列產(chǎn)品：低壓LED驅(qū)動(dòng)系列OC1002 OC4000 OC4001OC5010OC5011 OC5012 OC5020BOC5021BOC5022BOC5022 OC5028B OC5031 OC5036 OC5038 OC5120B OC5120 OC5121 OC5122A OC5122 OC5128 OC5136 OC5138 OC5330 OC5331 OC5351 OC5501 OC5620B OC5620 OC5622A OC5628 OC6700B OC6700 OC6701B OC6701 OC6702B OC6702 OC6781 OC7130 OC7131 OC7135 OC7140OC7141電源管理系列OC5800L OC5801L OC5802L OC5806L OC5808L OC6800 OC6801 OC6811 高壓LED驅(qū)動(dòng)系列OC9300D OC9300S OC9302 OC9303 OC9308 OC9320S OC9330S OC9331 OC9500S OC9501 OC9508等更多型號(hào)，提供方案設(shè)計(jì)技術(shù)支持等，歡迎來(lái)電咨詢(xún)0755-83259945/13714441972陳小姐。

OC5022B是一款內(nèi)置 60V 功率 MOS高效率、高精度的開(kāi)關(guān)降壓型大功率 LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片。

OC5022B 采用固定關(guān)斷時(shí)間的峰值電流控制方式，關(guān)斷時(shí)間可通過(guò)外部電容進(jìn)行調(diào)節(jié)，工作頻率可根據(jù)用戶(hù)要求而改變。

OC5022B 通過(guò)調(diào)節(jié)外置的電流采樣電阻，能控制高亮度 LED 燈的驅(qū)動(dòng)電流，使 LED 燈亮度達(dá)到預(yù)期恒定亮度。

在 DIM 端加 PWM 信號(hào)，可以進(jìn)行LED 燈調(diào)光。DIM 端同時(shí)支持線(xiàn)性調(diào)光。

OC5022B 內(nèi)部還集成了 VDD 穩(wěn)壓管以及過(guò)溫保護(hù)電路等，減少外圍元件并提高系統(tǒng)可靠性。

OC5022B 采用 ESOP8 封裝。散熱片內(nèi)置接 SW 腳。

特點(diǎn)：

◆內(nèi)置 60V MOS

◆寬輸入電壓范圍：3.1V~60V

◆高效率：可高達(dá) 93%_

◆支持 PWM 調(diào)光和線(xiàn)性調(diào)光

◆最大工作頻率：1MHz

◆CS 電壓：250mV

◆芯片供電欠壓保護(hù)：2.6V

◆關(guān)斷時(shí)間可調(diào)

◆智能過(guò)溫保護(hù)

◆內(nèi)置 VDD 穩(wěn)壓管

應(yīng)用：

◆自行車(chē)、電動(dòng)車(chē)、摩托車(chē)燈

◆強(qiáng)光手電

◆LED 射燈

◆大功率 LED 照明

◆LED 背光

升壓恒流:

OC6701 3.2～100V 大于輸入電壓2V以上即可3A以?xún)?nèi)

OC6700 3.2～60V 大于輸入電壓2V以上即可 2A以?xún)?nèi)

OC6702 3.2～100V 大于輸入電壓2V以上即可 1A以?xún)?nèi)

降壓恒流:

OC5021 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以?xún)?nèi)

OC5020 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 2A以?xún)?nèi)

OC5022 3.2～60V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 3A以?xún)?nèi)

OC5028 3.2～100V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作1.5A以?xún)?nèi)

OC5011 5～40V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以?xún)?nèi)

OC5010 5～40V 最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作2A以?xún)?nèi)

LED DRIVER DC-DC升降壓恒流

OC4001 5～100V 3.2～100V 3A

LED DRIVER DC-DC線(xiàn)性降壓恒流

OC7135 2.5-7V 低于等于輸入電壓即可固定<400mA

OC7131 2.5-7V 低于等于輸入電壓即可 可外擴(kuò)，實(shí)際電流決定于MOS管功耗

OC7130 2.5-30V 低于等于輸入電壓即可 實(shí)際電流決定于IC整體耗散功率

LED DRIVER DC-DC降壓恒流專(zhuān)用IC系列：LED遠(yuǎn)近光燈專(zhuān)用芯片

OC5200 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 2A以?xún)?nèi)

OC5208 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 1.5A以?xún)?nèi)

LED DRIVER DC-DC降壓恒流專(zhuān)用IC系列：多功能LED手電筒專(zhuān)用芯片

OC5351 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作5A以?xún)?nèi)

OC5331 3.2～100V最少低于輸出電壓1V以上就可以正常工作 5A以?xún)?nèi)

DC-DC降壓恒壓

OC5801 8～100V最少低于輸出電壓5V以上就可以正常工作 3A以?xún)?nèi)

OC5800 8～100V最少低于輸出電壓5V以上就可以正常工作2A以?xún)?nèi)

我國(guó)在基礎(chǔ)領(lǐng)域技術(shù)成熟，與國(guó)外差距不大，甚至某些技術(shù)趕超國(guó)外、領(lǐng)先全球。然而在高端芯片領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)外差距較大。從芯片設(shè)計(jì)、晶圓加工到封裝測(cè)試，我國(guó)產(chǎn)業(yè)鏈的各個(gè)環(huán)節(jié)均有不足之處，這就導(dǎo)致了終端產(chǎn)品性能無(wú)法和國(guó)外制備的芯片相匹敵。

本文將從制備工藝和檢測(cè)設(shè)備兩個(gè)方面，對(duì)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀進(jìn)行具體對(duì)比。

制備工藝差距導(dǎo)致最終產(chǎn)品無(wú)法實(shí)現(xiàn)小而精的要求

半導(dǎo)體行業(yè)具有較長(zhǎng)的產(chǎn)業(yè)鏈，從上游的原料提純到單晶硅的制備再到下游的光刻和封裝，甚至到最后出廠(chǎng)前的測(cè)試，每一步都環(huán)環(huán)相扣，牽一發(fā)而動(dòng)全身。這一套工藝流程必須保證每一步的產(chǎn)品具有高性能，才能保證最后的終端產(chǎn)品可用于高端電子裝備。我國(guó)在整條半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈中，最上游的原材料純度不夠、中游的高精密制備技術(shù)欠缺，從而導(dǎo)致下游產(chǎn)品無(wú)法達(dá)到國(guó)際水平。本節(jié)內(nèi)容將詳細(xì)闡述晶圓制造產(chǎn)業(yè)中外延技術(shù)和光刻工藝兩大關(guān)鍵環(huán)節(jié)中我國(guó)的劣勢(shì)。

1．晶圓制造的外延設(shè)備有待提高

晶圓制造是指利用二氧化硅作為原材料制作單晶硅，需要熔煉爐、化學(xué)氣相沉積（CVD）設(shè)備、單晶爐和切片機(jī)等設(shè)備。晶圓制造的成品是單晶硅片或者單晶硅薄膜。

在單晶硅棒材的生產(chǎn)企業(yè)中，中芯國(guó)際、中環(huán)股份均是國(guó)內(nèi)該領(lǐng)域的佼佼者。隨著我國(guó)國(guó)產(chǎn)電子設(shè)備市場(chǎng)的快速擴(kuò)張，半導(dǎo)體行業(yè)下游對(duì)上游材料的需求量將持續(xù)增大，國(guó)內(nèi)必須盡快擴(kuò)大棒材的生產(chǎn)直徑。但是在生產(chǎn)設(shè)備方面，我國(guó)目前仍依賴(lài)進(jìn)口，中環(huán)股份所用的單晶爐進(jìn)口于德國(guó)，因?yàn)閲?guó)外進(jìn)口的熔爐可保證爐壁材料不會(huì)在單晶硅制備過(guò)程中釋放其他元素而導(dǎo)致單晶硅不純。

外延法是生長(zhǎng)單晶硅薄膜的關(guān)鍵技術(shù)，也是晶圓制造的重要工藝之一。上游環(huán)節(jié)中單晶硅片的制備方面，國(guó)內(nèi)外差距正在急劇縮小，而在外延技術(shù)方面，國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體制備工藝卻在逐步拉開(kāi)差距。此部分將針對(duì)晶圓制造中的外延技術(shù)進(jìn)行國(guó)內(nèi)外對(duì)比。

外延設(shè)備差距大——國(guó)產(chǎn)CVD設(shè)備的國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率低

國(guó)外生產(chǎn)設(shè)備壟斷全球

愛(ài)思強(qiáng)是德國(guó)化學(xué)沉積設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，擁有氣相沉積晶體生長(zhǎng)的先進(jìn)技術(shù)，其產(chǎn)品是多種高端半導(dǎo)體產(chǎn)品的制備基礎(chǔ)。相較下美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備公司的優(yōu)勢(shì)則在于物理氣相沉積設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備、離子注入機(jī)等。就晶圓制備設(shè)備而言，排名第一的應(yīng)用材料全球市占有率為19％左右，擁有12000項(xiàng)專(zhuān)利，每年的研發(fā)投入超過(guò)15億美元，而國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)北方華創(chuàng)的研發(fā)支出每年卻不到1億美元。

北方華創(chuàng)是中國(guó)的AMAT，正發(fā)力于縮小PVD設(shè)備的差距

北方華創(chuàng)是我國(guó)生產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的主要企業(yè)，其主導(dǎo)產(chǎn)品有CVD、PVD、刻蝕機(jī)、氧化爐等，均是我國(guó)進(jìn)口價(jià)值比較高、技術(shù)難度較大的裝備。但北方華創(chuàng)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的占有率不足2％，這是因?yàn)槲覈?guó)半導(dǎo)體企業(yè)所用設(shè)備幾乎都從國(guó)外進(jìn)口。在薄膜制備方面，我國(guó)PVD設(shè)備是國(guó)產(chǎn)化率進(jìn)展較快的一類(lèi)設(shè)備，正在努力縮小與發(fā)達(dá)國(guó)家的差距。

氣相沉積設(shè)備技術(shù)壁壘主要集中在溫度控制系統(tǒng)上

影響CVD工藝的參數(shù)較多，溫度是其關(guān)鍵參數(shù)之一。隨著圓片尺寸的增大以及對(duì)膜厚均勻性的要求越來(lái)越高，特別是新器件新工藝的發(fā)展，對(duì)控溫精度要求越來(lái)越高，許多工藝要求溫度上下浮動(dòng)控制范圍不超過(guò)0．5°C。CVD工藝中氣流要求為層流，但有時(shí)會(huì)出現(xiàn)湍流或局部漩渦，從而引起局部溫度波動(dòng)。基板加熱系統(tǒng)的設(shè)計(jì)也成為CVD設(shè)備研發(fā)的難題之一，樣品托板的選擇也要配合加熱系統(tǒng)。設(shè)備真空度是另一影響產(chǎn)品性能的關(guān)鍵點(diǎn)，各種鍍膜技術(shù)都需要一個(gè)特定的真空環(huán)境。

2．我國(guó)光刻精度低影響集成電路的高效率

上游的晶圓片產(chǎn)品會(huì)運(yùn)送到芯片制備企業(yè)進(jìn)行晶圓加工。晶圓加工是指在晶圓上制作邏輯電路的過(guò)程，需要鍍膜、光刻、顯影、刻蝕、離子注入等工藝過(guò)程，需要CVD沉積設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、擴(kuò)散爐等設(shè)備。其中光刻工藝的差距是導(dǎo)致我國(guó)半導(dǎo)體芯片性能不足的關(guān)鍵原因，我國(guó)在這方面的劣勢(shì)可以歸咎于光刻設(shè)備和掩膜版精度不夠以及光刻膠的性能差。

核心設(shè)備光刻機(jī)技術(shù)落后

光刻機(jī)是半導(dǎo)體集成電路制造的核心設(shè)備，我國(guó)芯片發(fā)展受限的一個(gè)重要原因在于光刻機(jī)技術(shù)落后。放眼全球，能夠制造出光刻機(jī)的國(guó)家屈指可數(shù)，包括荷蘭、美國(guó)、日本、中國(guó)。其中荷蘭的阿斯麥（ASML）公司占據(jù)著無(wú)法撼動(dòng)的龍頭地位，壟斷了全球80％的光刻機(jī)市場(chǎng)。我國(guó)無(wú)論從產(chǎn)品還是技術(shù)上都存在著滯后性，不得不從國(guó)外進(jìn)口價(jià)格高昂的成品。

但我國(guó)技術(shù)也在不斷突破。2016年11月長(zhǎng)春光機(jī)所在光源和物鏡系統(tǒng)方面取得歷史性突破，“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”也順利通過(guò)測(cè)試。這對(duì)于我國(guó)發(fā)展新一代集成電路制造裝備是里程碑般的成果，代表國(guó)產(chǎn)22－32nm光刻設(shè)備指日可待。我國(guó)在追趕國(guó)外先進(jìn)技術(shù)的同時(shí)將新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的道路仍任重而道遠(yuǎn)。

核心材料光刻膠自給不足

光刻膠是光刻環(huán)節(jié)所用到的核心材料。光刻膠的生產(chǎn)技術(shù)指標(biāo)卡控十分嚴(yán)格，產(chǎn)品需確保解析度、顯影時(shí)間、異物數(shù)量、附著力、阻抗等參數(shù)均達(dá)到指標(biāo)，其成分多樣、工藝技術(shù)復(fù)雜且技術(shù)難題眾多。因此，國(guó)外企業(yè)在配方、生產(chǎn)工藝技術(shù)等方面一直強(qiáng)勢(shì)壟斷。光刻膠知名的生產(chǎn)廠(chǎng)家多為日美企業(yè)，其中日本合成橡膠、東京日化、羅門(mén)哈斯、信越化學(xué)、富士電子，這5家日本公司占據(jù)了全球87％的市場(chǎng)份額。

在光刻膠研發(fā)上，我國(guó)起步晚，生產(chǎn)能力主要集中在PCB光刻膠、TN／STN－LCD（扭曲向列型液晶顯示器／超扭曲向列型液晶顯示器）光刻膠等中低端產(chǎn)品。在高端產(chǎn)品上，往往面臨由于技術(shù)壁壘高被壟斷的困局。因此，中國(guó)光刻膠企業(yè)技術(shù)的發(fā)展也是半導(dǎo)體崛起的重要環(huán)節(jié)。

關(guān)鍵工具掩膜版精度不夠

日本凸版印刷TOPPAN、大日本印刷、美國(guó)Photronics等幾家國(guó)外企業(yè)，目前掩膜版水平可做到十幾到幾十納米，但國(guó)內(nèi)幾家知名企業(yè)如華潤(rùn)微電子、無(wú)錫中微掩模、蘇州制版等目前的制備水平普遍還處在0．13μm以上的級(jí)別。由此可見(jiàn)，國(guó)內(nèi)水平還需進(jìn)一步提高才可與國(guó)外企業(yè)比肩。

檢測(cè)設(shè)備差距

集成電路（IC）的封裝是IC生產(chǎn)線(xiàn)的最后環(huán)節(jié)，在封裝過(guò)程及出廠(chǎng)前都要進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試和篩選。我國(guó)的封裝水平較高，但是檢測(cè)設(shè)備卻依然依賴(lài)進(jìn)口。目前半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備依然被海外巨頭所壟斷，前道檢測(cè)市場(chǎng)中美商科磊（KLA－Tencor）占據(jù)了52％的市場(chǎng)份額；后道檢測(cè)市場(chǎng)則主要由美國(guó)泰瑞達(dá)（TERADYNE）、愛(ài)德萬(wàn)、Xcerra所壟斷。其中Xcerra是全球第三大后道測(cè)試設(shè)備的生產(chǎn)商，其ATE檢測(cè)優(yōu)勢(shì)在模擬芯片的測(cè)試。

國(guó)產(chǎn)設(shè)備中，涉足前道檢測(cè)設(shè)備的公司有上海睿勵(lì)和精測(cè)電子，上海睿勵(lì)主要以膜厚檢測(cè)為主，精測(cè)電子則以面板檢測(cè)為主；后道檢測(cè)方面，長(zhǎng)川科技是后道檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)，并已實(shí)現(xiàn)了規(guī)?；倪M(jìn)口替代，但目前檢測(cè)設(shè)備主要應(yīng)用于低端器件——電源管理芯片，而針對(duì)存儲(chǔ)芯片和模擬芯片領(lǐng)域的檢測(cè)設(shè)備仍處于空白階段。