存儲(chǔ)器是具有“記憶”功能的設(shè)備，它用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來表示二進(jìn)制數(shù)碼 “0”和“1”，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導(dǎo)體觸發(fā)器、 MOS電路或電容器等。 位(bit)是二進(jìn)制數(shù)的最基本單位，也是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)信息的最小單位，8位二進(jìn)制數(shù)稱為一 個(gè)字節(jié)(Byte)，可以由一個(gè)字節(jié)或若干個(gè)字節(jié)組成一個(gè)字(Word)在PC機(jī)中一般認(rèn)為1個(gè)或2個(gè)字節(jié)組成一個(gè)字。若干個(gè)憶記單元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元，大量的存儲(chǔ)單元的集合組成一個(gè) 存儲(chǔ)體(MemoryBank)。為了區(qū)分存儲(chǔ)體內(nèi)的存儲(chǔ)單元，必須將它們逐一進(jìn)行編號(hào)，稱為地址。地址與存儲(chǔ)單元之間一一對應(yīng)，且是存儲(chǔ)單元的唯一標(biāo)志。應(yīng)注意存儲(chǔ)單元的地址和它里面存放的內(nèi)容完全是兩 回事。 根據(jù)存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)中處于不同的位置，可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器。在主機(jī)內(nèi)部，直接 與CPU交換信息的存儲(chǔ)器稱主存儲(chǔ)器或內(nèi)存儲(chǔ)器。在執(zhí)行期間，程序的數(shù)據(jù)放在主存儲(chǔ)器內(nèi)。各個(gè)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可通過指令隨機(jī)讀寫訪問的存儲(chǔ)器稱為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)。另一種存儲(chǔ)器叫只讀存儲(chǔ)器(ROM)，里面存放一次性寫入的程序或數(shù)據(jù)，僅能隨機(jī)讀出。RAM和ROM共同分享主存儲(chǔ)器的地址空間。RAM中存取的數(shù)據(jù)掉電后就會(huì)丟失，而掉電后ROM中 的數(shù)據(jù)可保持不變。因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)、價(jià)格原因，主存儲(chǔ)器的容量受限。為滿足計(jì)算的需要而采用了大容量的輔助存儲(chǔ) 器或稱外存儲(chǔ)器，如磁盤、光盤等.存儲(chǔ)器的特性由它的技術(shù)參數(shù)來描述。

存儲(chǔ)容量：存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制信息量稱為存儲(chǔ)容量。一般主存儲(chǔ)器(內(nèi)存)容量在幾十K到幾十M字節(jié)左右；輔助存儲(chǔ)器(外存)在幾百K到幾千M字節(jié)。 存取周期：存儲(chǔ)器的兩個(gè)基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲(chǔ)單元與存儲(chǔ)寄存器(MDR)之間進(jìn)行讀寫。存儲(chǔ)器從接收讀出命令到被讀出信息穩(wěn)定在MDR的輸出端為止的時(shí)間間隔，稱為取數(shù)時(shí)間TA；兩次獨(dú)立的存取操作之間所需的最短時(shí)間稱為存儲(chǔ)周期TMC。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存取周期一般為60ns-100ns。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時(shí)間間隔。性能價(jià)格比是一個(gè)綜合性指標(biāo)，對于不同的存儲(chǔ)器有不同的要求。對于外存儲(chǔ)器，要求容量極大，而對緩沖存儲(chǔ)器則要求速度非?？?，容量不一定大。因此性能/價(jià)格比是評價(jià)整個(gè)存儲(chǔ)器系統(tǒng)很重要的指標(biāo)。