型號(hào)：SD3078br
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品牌：SDbr
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封裝:WSOP-8br
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全新原裝現(xiàn)貨br
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SD3078是一種具有標(biāo)準(zhǔn)IIC接口的實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片，CPU可使用該接口通過(guò)7位地址尋址來(lái)讀寫(xiě)片內(nèi)122字節(jié)寄存器的數(shù)據(jù)(包括時(shí)間寄存器、報(bào)警寄存器、控制寄存器、用戶SRAM寄存器及ID碼寄存器)。br
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SD3078內(nèi)置晶振及數(shù)字溫度計(jì)，用戶可以不用顧慮因外接晶振、諧振電容等所帶來(lái)的元件匹配誤差問(wèn)題、晶振溫度特性問(wèn)題及可靠性問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)在常溫及寬溫范圍內(nèi)不需用戶干預(yù)、全自動(dòng)、全電源環(huán)境補(bǔ)償?shù)母呔?、高可靠?jì)時(shí)功能。br
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主要性能特點(diǎn)：br
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l低功耗：0.8μA典型值(VBAT3.0V，Ta25℃）。br
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l工作電壓：2.7V～5.5V，工作溫度為-40℃～+85℃。br
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l標(biāo)準(zhǔn)IIC總線接口方式，最高速度400KHZ(4.5V～5.5V)。br
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l年、月、日、星期、時(shí)、分、秒的BCD碼輸入/輸出，并可通過(guò)獨(dú)立的地址訪問(wèn)各時(shí)間寄存器。br
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l閏年自動(dòng)調(diào)整功能(從2000年～2099年)。br
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l可選擇12/24小時(shí)制式.br
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l內(nèi)置年、月、日、星期、時(shí)、分、秒共7字節(jié)的報(bào)警數(shù)據(jù)寄存器及1字節(jié)的報(bào)警允許寄存器，共有96種組合報(bào)警br
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方式，并有單事件報(bào)警和周期性報(bào)警兩種中斷輸出模式，報(bào)警時(shí)間最長(zhǎng)可設(shè)至100年。br
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l周期性頻率中斷輸出:從4096Hz～1/16Hz……1秒共十四種方波脈沖.br
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l自動(dòng)重置的三字節(jié)共24位的倒計(jì)時(shí)定時(shí)器，可選的4種時(shí)鐘源（4096HZ、1024HZ、1秒、1分鐘），最小定時(shí)為244us，最長(zhǎng)定時(shí)可到31年，通過(guò)計(jì)算可獲得較精確的毫秒級(jí)定時(shí)值。br
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l三種中斷均可選擇從INT腳輸出，并具有兩個(gè)中斷標(biāo)志位.br
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l內(nèi)置70字節(jié)通用SRAM寄存器可用于存儲(chǔ)用戶的一般數(shù)據(jù)。br
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l具有可控的32768HZ方波輸出腳F32K，可以位允許/禁止32K輸出。br
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l內(nèi)置8bit轉(zhuǎn)換結(jié)果的數(shù)字溫度傳感器，為了節(jié)省電池電量消耗，設(shè)為VDD模式下60S間隔測(cè)溫一次，電池模式600S間隔測(cè)溫一次。br
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l內(nèi)置晶振和諧振電容，芯片內(nèi)部通過(guò)高精度補(bǔ)償方法，實(shí)現(xiàn)在寬溫范圍內(nèi)高精度的計(jì)時(shí)功能，其中25℃精度±3.8ppm（即每月誤差10S）。br
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l具有一次性或充電的后備電池輸入腳VBAT，其內(nèi)部的3.3V穩(wěn)壓充電電路可選擇性地對(duì)外接的充電電池進(jìn)行自動(dòng)充電，內(nèi)置的充電限流電阻可位選2KΩ、5KΩ和10KΩ三種。br
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l內(nèi)置電池電壓檢測(cè)功能，可讀取當(dāng)前電池電壓值(三位有效數(shù))，設(shè)置高低電池報(bào)警電壓值并從INT腳輸出中斷。br
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l芯片依據(jù)不同的電壓自動(dòng)從VDD切換到VBAT或從VBAT切換到VDD。當(dāng)芯片檢測(cè)到主電源VDD掉到2.4V電壓以下且VDD小于VBAT，芯片會(huì)轉(zhuǎn)為由接在VBAT的后備電池供電；當(dāng)VDD大于VBAT或VDD大于2.4V，則芯片會(huì)轉(zhuǎn)為由VDD供電。（內(nèi)置電源模式指示位PMF，VDD模式時(shí)PMF0，VBAT模式時(shí)PMF1）。br
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l內(nèi)置8字節(jié)的ID碼（OTP型），芯片出廠之前設(shè)定的、全球唯一的身份識(shí)別碼。br
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l內(nèi)置IIC總線0.5秒自動(dòng)復(fù)位功能(從Start命令開(kāi)始計(jì)時(shí))，該功能可以避免IIC總線掛死問(wèn)題。br
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l內(nèi)置三個(gè)時(shí)鐘數(shù)據(jù)寫(xiě)保護(hù)位，避免對(duì)數(shù)據(jù)的誤寫(xiě)操作，可更好地保護(hù)數(shù)據(jù)。br
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l內(nèi)置軟件可控VBAT模式IIC總線通信禁止功能（BATIIC0，VBAT模式下禁止IIC通信；BATIIC1，VBAT模式下允許IIC通信.上電默認(rèn)值BATIIC0)，從而避免在電池供電時(shí)CPU對(duì)時(shí)鐘操作所消耗的電池電量，也可避免在VDD上、下電的過(guò)程中因CPU的I/O端口所輸出的不受控的雜波信號(hào)對(duì)時(shí)鐘芯片的誤寫(xiě)操作，進(jìn)一步提高時(shí)鐘芯片的可靠性。br
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l內(nèi)置上電指示位RTCF，當(dāng)包括電池在內(nèi)的所有電源第一次上電時(shí)該位置1。br
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l內(nèi)置電池電壓欠壓指示位BLF，當(dāng)電池電壓低于2.2V時(shí)BLF位置1?！r
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l內(nèi)置停振檢測(cè)位OSF，當(dāng)內(nèi)部振蕩器停止振蕩時(shí)該位置1。 br
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l芯片管腳抗靜電(ESD)2KV。br
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l芯片在興威帆的評(píng)估板上可通過(guò)4KV的群脈沖(EFT)干擾。br
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lCMOS工藝br
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l封裝形式：SOP8(寬度208mil)。br
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電話：0755-82538863br
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