制造商: Renesas Electronics

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

封裝 / 箱體: SC-70-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: - 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: - 100 mA

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 13000 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

配置: Single

通道模式: Enhancement

高度: 0.9 mm

長度: 2 mm

晶體管類型: 1 P-Channel

寬度: 1.25 mm

商標(biāo): Renesas Electronics

下降時間: 320 ns

Pd-功率耗散: 150 mW

上升時間: 330 ns

典型關(guān)閉延遲時間: 220 ns

典型接通延遲時間: 140 ns