在高頻電路中，阻抗匹配是關(guān)鍵。如果出現(xiàn)了阻抗不匹配和信號(hào)的反射，則會(huì)產(chǎn)生駐波使信號(hào)傳輸出現(xiàn)問(wèn)題。

例如在50ω的傳送線路上，如果連接50ω的負(fù)載阻抗，那么所有的電力都被供給負(fù)載。當(dāng)然反射電力為0時(shí)是正常的狀態(tài)。

表現(xiàn)不匹配的狀態(tài)時(shí)，使用反射系數(shù)、駐波比（vswr：volt－age sting wave ratio）及不匹配損失（即反射損耗）等術(shù)語(yǔ)。

反射系數(shù) 這里zo為驅(qū)動(dòng)阻抗，zl為負(fù)載阻抗。

駐波比ρ可由反射系數(shù)算出： 如果γ為0，則駐波比vswr的值為1。

另一方面，反射損耗rl用分貝表示。從反射系數(shù)可計(jì)算出rl：

圖1是有代表性的阻抗橋式電路，這個(gè)橋式電路當(dāng)rx＝50ω時(shí)平衡。輸出為差動(dòng)輸出，用平衡－不平衡變壓器變換一端，測(cè)定其輸出電平。

圖1 反射損耗橋式電路的構(gòu)成

照片1是市場(chǎng)上出售的阻抗50ω、頻率范圍為10m～1000mhz的vswr橋式電路的外觀。其內(nèi)部電路不明，可嘗試測(cè)定此種橋式電路的電氣特性。

照片2 市場(chǎng)上出售的vswr電橋的外觀（62nf5o）

照片3l是rx＝∞（負(fù)載斷開(kāi)）的特性。插人損耗為12～13db。為故意作出不匹配，若連接rx＝75ω，以rx＝∞為基準(zhǔn)，約14db（用vswr換算為1.5），但在rx＝50ω處表示了極大的反射損耗（理想情況為無(wú)限大）。

照片3 vswr電橋的特性(f＝look～l00mhz，10db／div.，62nf50)

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