如圖所示，環(huán)路1中，電流自導通的輸入旁路電容器(cin1)，在高端mosfet的持續(xù)導通時間內(nèi)經(jīng)該mosfet，到達內(nèi)部電感器和輸出旁路電容器(co1)，最后返回輸入旁路電容器。

環(huán)路2是在內(nèi)部高端mosfet的關斷時間以及低端mosfet的導通時間內(nèi)形成的。內(nèi)部電感器中存儲的能量流經(jīng)輸出旁路電容器和低端mosfet，最后返回gnd。兩個環(huán)路互不重疊的區(qū)域（包括環(huán)路間的邊界），即為高di/dt電流區(qū)域。在向轉(zhuǎn)換器提供高頻電流以及使高頻電流返回其源路徑的過程中，輸入旁路電容器(cin1)起著關鍵作用。 來源:admin