ttl門電路工作速度相對于mos較快，但由于當(dāng)輸出為低電平時(shí)t5工作在深度飽和狀態(tài)，當(dāng)輸出由低轉(zhuǎn)為高電平，由于在基區(qū)和集電區(qū)有存儲電荷不能馬上消散，而影響工作速度。

改進(jìn)型ttl與非門可能工作在飽和狀態(tài)下的晶體管t1、t2、t3、t5都用帶有肖特基勢壘二極管（sbd）的三極管代替，以限制其飽和深度，提高工作速度改進(jìn)型ttl與非門增加有源泄放電路。 來源:lidy