如圖所示，是高gm低噪聲j-fet并聯(lián)連接的低噪聲前置放大器電路。若j-fet并聯(lián)的個數(shù)為n，則輸出噪聲就降為。j-fet的電壓增益av為av＝gm·rd。工作點(diǎn)選在gm較大處，需要ugs盡量接近于0，即idss附近。另外，漏極電流id與噪聲無關(guān)。電阻若選用線繞電阻較利于抑制噪聲，但一般采用金屬膜電阻。電容盡量不要使用電解電容，而使用鉭電容。

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