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RF2172PCBA-H	文件：292.11 Kbytes Page：12 Pages	ISMBAND3.6V,250MWAMPWITHANALOGGAINCONTROL ProductDescription TheRF2172isamedium-powerhighefficiencyamplifierICtargeting3.6Vhandheldsystems.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierin2.45GHzBluetootha	RFMDRF Micro Devices 威訊聯(lián)合威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司	RFMD
RF2172PCBA-L	文件：292.11 Kbytes Page：12 Pages	ISMBAND3.6V,250MWAMPWITHANALOGGAINCONTROL ProductDescription TheRF2172isamedium-powerhighefficiencyamplifierICtargeting3.6Vhandheldsystems.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierin2.45GHzBluetootha	RFMDRF Micro Devices 威訊聯(lián)合威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司	RFMD
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TLV2172	文件：2.25298 Mbytes Page：42 Pages	36-V,Single-Supply,Low-PowerOperationalAmplifiersforCost-SensitiveSystems	TI1Texas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI1

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