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IMWH170R650M1

絲印：170M1650；Package：PG-TO247-3-STD-NN4.8；CoolSiC? 1700 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=1700VatTvj=25°C ?IDDC=7.5AatTC=25°C ?RDS(on)=650mΩatVGS=12V,Tvj=25°C ?Optimizedforfly-backtopologies ?12V/0Vgate-sourcevoltagecompatiblewithmostfly-backcontrollers ?Verylowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBF170R650M1

CoolSiC??1700VSiCTrenchMOSFETSiliconCarbideMOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMX123LQT-C

SONY/索尼半導(dǎo)體

SONY/索尼半導(dǎo)體

相關(guān)企業(yè)：深圳市中聯(lián)芯電子有限公司

SONY/索尼半導(dǎo)體

IMX123LQT-C視覺、圖像傳感器

SONY/索尼半導(dǎo)體

SONY/索尼半導(dǎo)體

相關(guān)企業(yè)：深圳市中聯(lián)芯電子有限公司

SONY/索尼半導(dǎo)體

IMX124LQT-C視覺、圖像傳感器

SONY/索尼半導(dǎo)體

SONY/索尼半導(dǎo)體

相關(guān)企業(yè)：深圳市中聯(lián)芯電子有限公司

SONY/索尼半導(dǎo)體

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更多IMWH170R650M1供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 14:01:00

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