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IMW65R027M1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IMW65R027M1H |
| 參數(shù)屬性 | IMW65R027M1H 包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
| 功能描述 | 650 V CoolSiC? M1 SiC Trench Power Device |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | PG-TO247-3 |
| 文件大小 |
1.46587 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
15 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-23 15:16:00 |
| 人工找貨 | IMW65R027M1H價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IMW65R027M1H規(guī)格書(shū)詳情
IMW65R027M1H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IMW65R027M1H晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開(kāi)關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢(shì)。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競(jìng)爭(zhēng)力。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IMW65R027M1HXKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 包裝：
管件
- 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：
47A（Tc）
- 描述：
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
32000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,低價(jià)出售,實(shí)單可談 |
詢價(jià) | ||||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
TO-247 |
7962 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
23+ |
PG-TO247-3 |
10000 |
原裝正品，支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
2447 |
PG-TO247-3 |
115000 |
240個(gè)/管一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
2025+ |
PG-TO247-3 |
8000 |
詢價(jià) | |||
Infineon(英飛凌) |
25+ |
TO-247-3 |
500000 |
源自原廠成本,高價(jià)回收工廠呆滯 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
GOOP |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
GOOP |
7000 |
詢價(jià) | |||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO247-3 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價(jià) |
