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IMBG120R026M2H中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
IMBG120R026M2H |
| 功能描述 | CoolSiC? 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | PG-TO263-7-HV-ND5.8 |
| 文件大小 |
1.30229 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
17 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
INFINEON【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-1 14:01:00 |
| 人工找貨 | IMBG120R026M2H價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IMBG120R026M2H規(guī)格書詳情
特性 Features
? VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C
? IDDC = 53 A at TC = 100°C
? RDS(on) = 25.4 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C
? Very low switching losses
? Overload operation up to Tvj = 200°C
? Short circuit withstand time 2 μs
? Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V
? Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
? Robust body diode for hard commutation
? .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
? Suitable Infineon gate drivers can be found under https://www.infineon.com/gdfinder
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
625 |
只做正品 |
詢價 | ||||
Infineon(英飛凌) |
2511 |
8790 |
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Infineon(英飛凌) |
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Infineon(英飛凌) |
24+ |
TO2637 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
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Infineon(英飛凌) |
2324+ |
NA |
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ST |
2405+ |
原廠封裝 |
50000 |
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗/只供原裝正品:0755-83271731鄒小姐 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-263-7 |
60000 |
詢價 | |||
INFINEON |
22+ |
NA |
11002 |
原裝正品支持實單 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
25+ |
原廠封裝 |
10280 |
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INFINEON |
24+ |
TO263-7 |
15000 |
原裝原標(biāo)原盒 給價就出 全網(wǎng)最低 |
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