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IRFL014	文件：176.76 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=60V,Rds(on)=0.20ohm,Id=2.7A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?SurfaceMount ?AvailableinTape&Reel ?DynamicdV/dtRating ?FastSwitching ?E	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014	文件：949.69 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFL014	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFL014	文件：1.0036 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
IRFL014N	文件：144.1 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=0.16ohm,Id=1.9A) Description FifthGenerationHEXFET?MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014NPBF	文件：158.96 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET?MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014NPBF	文件：164.33 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014NTRPBF	文件：1.92767 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GENERALFEATURES 60V,4A,Rps(on)=85mQ@Vgs=10V. Rpsion)=100mQ@Vgs=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRps(on)- Ruggedandreliable. Leadfreeproductisacquired. SOT-223package.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
IRFL014NTRPBF	文件：164.33 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFET?MOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFET?powerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRFL014PBF	文件：793.5 Kbytes Page：9 Pages	SurfaceMount,FastSwitching DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. ?SurfaceMount ?AvailableinTape&Reel ?DynamicdV/dtRating ?FastSwitching ?Eas	IRF International Rectifier	IRF

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