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IRFM360

400V,N-CHANNELHEXFETMOSFETTECHNOLOGY

HEXFET?MOSFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometrydesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance.HEXFETtransistorsalsofeatureallofthewell-establishedadvantagesofMOSFETs,s

IRF

International Rectifier

IRFM360

SimpleDriveRequirements

IRF

International Rectifier

IRFM360

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFP360

23A,400V,0.200Ohm,N-ChannelPowerMOSFET

ThisadvancedpowerMOSFETisdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingc

Intersil

Intersil Corporation

IRFP360

PowerMOSFET(Vdss=400V,Rds(on)=0.20ohm,Id=23A)

IRF

International Rectifier

IRFP360

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

IRFP360

MegaMOSFET

Features ?Fastswitchingtimes ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Highcommutingdv/dtrating Applications ?DCchoppers ?MotorControls ?Switch-modeandresonant-mode ?Uninterruptablepowersupplies(UPS) Adva

IXYS

IXYS Corporation

IRFP360

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ?DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.2Ω(Max) ?FastSwitching DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IRFP360

Avalanche-Energy-RatedN-ChannelPowerMOSFETs

TheIRFP360andIRFP362areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperationThesearen-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingre

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

IRFP360

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    ILSEU-GI360-D

  • 制造商：

    Sensata-Cynergy3

  • 類別：

    傳感器，變送器 > 浮動，液位傳感器 - 工業(yè)

  • 系列：

    ILSEU

  • 包裝：

    散裝

  • 類型：

    液體

  • 輸出類型：

    模擬（膜片）

  • 輸出配置：

    0.5V ~ 4.5V

  • 安裝類型：

    公型，1/4"（6.35mm）NPT

  • 材料 - 殼體和棱柱：

    303 號不銹鋼，316 號不銹鋼

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C

  • 額定電壓：

    9 ~ 32V

  • 描述：

    SENSOR PRESSURE 0-360WG 0.5-4.5V

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多ILSEU-GI360-D供應商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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