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IKWH30N67PR7中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IKWH30N67PR7
廠商型號

IKWH30N67PR7

功能描述

TRENCHSTOP? IGBT 7 PR7 Reverse Conducting IGBT for boost PFC stage

絲印標(biāo)識

H30EPR7

封裝外殼

PG-TO247-3-U04

文件大小

1.38398 Mbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-24 23:00:00

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IKWH30N67PR7規(guī)格書詳情

特性 Features

? VCE = 670 V

? IC = 30 A

? Pin-to-pin creepage distance > 4.8 mm

? Pin-to-pin clearance distance > 3.4 mm

? Optimized monolithic diode for PFC applications

? Improved EMI behavior with lower dv/dt

? Very low VCEsat = 1.4 V (typ.) at 25°C

? Stable temperature behavior

? Low temperature dependence of VCEsat and Esw

? 2 kV ESD HBM compliant

? Easy parallel switching capability based on positive temperature coefficient of VCEsat

? Product spectrum and PSpice Models: http://www.infineon.com/igbt/

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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