描述 Description

采用 TO247 封裝的 650 V，75 A 硬開關?TRENCHSTOP? 5 S5?IGBT 適合開關頻率在 10 kHz 到 40 kHz 之間的應用，可實現高效率和更快的產品上市周期，降低電路設計復雜性并優(yōu)化 PCB 物料清單成本。

特性 Features

? 在 25°C 下， VCEsat 低至 1.35 V，比 TRENCHSTOP? 5 H5 低 20%
? Ic脈沖電流的 4 倍 (100°C Tc)
? 軟電流下降特性，無尾電流
? 對稱的，電壓過沖
? 柵極電壓受到控制（無振動）。沒有不必要的設備導通風險，也不需要柵極箝位。
? 最高結溫 Tvj= 175°C
? 質量符合 JEDEC 標準

優(yōu)勢:
? 不需要 VCEpeak?箝位電路
? 不需要柵極箝位元件
? 出色的 EMI 行為
? 非常適合并聯

簡介

IKW75N65ES5屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產的IKW75N65ES5晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。