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IKW50N60TA分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IKW50N60TA
廠商型號

IKW50N60TA

參數(shù)屬性

IKW50N60TA 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3

功能描述

Designed for DC/AC converters for Automotive Application
IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3

絲印標(biāo)識

K50T60A

封裝外殼

PG-TO247-3 / TO-247-3

文件大小

951.92 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-1 20:00:00

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IKW50N60TA規(guī)格書詳情

IKW50N60TA屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IKW50N60TA晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

Features:

Automotive AEC Q101 qualified

Designed for DC/AC converters for Automotive Application

Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.)

Maximum Junction Temperature 175 °C

Short circuit withstand time 5 μs

TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology for 600 V

applications offers :

? - very tight parameter distribution

? - high ruggedness, temperature stable behavior

? - very high switching speed

Positive temperature coefficient in VCE(sat)

Low EMI

Low Gate Charge

Green Package

Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode

Applications:

Main inverter

Air – Con compressor

PTC heater

Motor drives

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IKW50N60TAFKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    TrenchStop?

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    2.6mJ

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    26ns/299ns

  • 測試條件:

    400V,50A,7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO247-3-1

  • 描述:

    IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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