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IKW30N60H3	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立式IGBT; ? 高效率，低開關(guān)損耗\n? 得益于英飛凌知名的 TRENCHSTOP? 技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了出色的Vce(sat)。\n? 快速開關(guān)行為，同時(shí)低電磁干擾輻射\n? 針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用的優(yōu)化二極管，意味著進(jìn)一步改善開關(guān)損耗\n? 在保持出色的開關(guān)行為的同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)低柵極電阻選擇（低至 5Ω）\n? 短路能力為 5μs\n? 提供最高 175°C的 Tj(max)\n? 可帶或可不帶續(xù)流二極管的封裝，增加了設(shè)計(jì)自由度\n\n優(yōu)勢(shì):\n? 低開關(guān)和導(dǎo)通損耗\n? 非常好的電磁干擾行為\n? 可以與小型柵極電阻一起使用，以減少延遲時(shí)間和電壓過沖。\n? 高電流密度\n? 出色的 600 V IGBT 效率和電磁干擾行為\n; 高速 600 V, 30 A 硬開關(guān)第三代 TRENCHSTOP??IGBT，采用 TO247 封裝并集成了續(xù)流二極管，在開關(guān)和導(dǎo)通損耗之間實(shí)現(xiàn)了較為出色的平衡。此產(chǎn)品系列的主要特征是類似 MOSFET 的關(guān)斷開關(guān)行為，實(shí)現(xiàn)了低關(guān)斷損耗。\n	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60H3	文件：1.64752 Mbytes Page：16 Pages	High speed Duopack : IGBT in Trench and Fieldstop technology Features: TRENCHSTOP?technologyoffering ?verylowVCEsat ?lowEMI ?Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?completeproductspectrumandPSpiceMod	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60H3	文件：2.19193 Mbytes Page：16 Pages	絲印：K30H603；Package：PG-TO247-3；IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60H3_14	文件：2.19193 Mbytes Page：16 Pages	IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60H3FKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包裝：管件類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 60A 187W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BIDNW30N60H3	文件：1.33514 Mbytes Page：10 Pages	BIDNW30N60H3InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) GeneralInformation TheBourns?ModelBIDNW30N60H3IGBTdevicecombinestechnologyfromaMOS gateandabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacter	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
IGA30N60H3	文件：1.62111 Mbytes Page：15 Pages	Highspeedswitchingseriesthirdgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGB30N60H3	文件：1.45972 Mbytes Page：14 Pages	600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGB30N60H3	文件：1.63937 Mbytes Page：14 Pages	600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IGP30N60H3	文件：269.93 Kbytes Page：2 Pages	TrenchandFieldstopIGBT DESCRIPTION ·Verylowturn-offenergy ·LowVCEsat ·Maximumjunctiontemperature175℃ ·LowEMI APPLICATIONS ·Converterswithhighswitchingfrequency ·Weldingconverters ·Uninterruptiblepowersupplies	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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技術(shù)參數(shù)

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
undefined
Switching Frequency min：
20 kHz
Switching Frequency max：
100 kHz
Technology：
IGBT HighSpeed 3
Voltage Class max：
600 V
IC @ 100° max：
30 A
VCE(sat)：
1.95 V
Qualification：
Industrial
Eon：
0.94 mJ
Eoff Hard Switching：
0.44 mJ
IF max：
30 A
Qrr：
320 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0f5e0238=IGBT
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO247-3
td(on)：
21 ns
tr：
33 ns
td(off)：
207 ns
tf：
22 ns
QGate：
165 nC
IC @ 25° max：
60 A
IFpuls max：
120 A
VF：
1.65 V
Irrm：
12 A
ICpuls max：
120 A
tSC：
5 μs
Soft Switching：
no

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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