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IKW08N120CS7數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
IKW08N120CS7 |
| 參數(shù)屬性 | IKW08N120CS7 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：INDUSTRY 14 PG-TO247-3 |
| 功能描述 | 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-14 18:21:00 |
| 人工找貨 | IKW08N120CS7價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IKW08N120CS7規(guī)格書詳情
特性 Features
優(yōu)勢:
? Lowest losses on IGBT, high system efficiency for higher power output
? Higher power density without heatsink redesign
? Fast and easy replacement of predecessor T2 portfolio
? High device reliabiity in harsh operating condition
? Ease to design to meet EMI requirement
簡介
IKW08N120CS7屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的IKW08N120CS7晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號：
IKW08N120CS7XKSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
Automotive, AEC-Q101, TrenchStop?
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，8A
- 開關(guān)能量：
370μJ（開），400μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
17ns/160ns
- 測試條件：
600V，8A，20 歐姆，15V
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO247-3
- 描述：
INDUSTRY 14 PG-TO247-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
1725+ |
TO247 |
6528 |
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詢價(jià) | ||
英飛翎 |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
24+ |
TO247 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
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詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
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