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IRFB16N60L	文件：372.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=460mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB16N60L	文件：149.87 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFB16N60L	文件：182.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB16N60L	文件：2.71112 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFB16N60LPBF	文件：2.71112 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFB16N60LPBF	文件：182.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB16N60LPBF	文件：195.94 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFP16N60	文件：295.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=470mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXSA16N60	文件：48.39 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSP16N60	文件：48.39 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Corporation	IXYS

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格

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