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IKP15N60T

Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOP?andFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode Features: ?VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) ?MaximumJunctionTemperature175°C ?Shortcircuitwithstandtime5?s ?Designedfor: -FrequencyConverters

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英飛凌英飛凌科技股份公司

IKP15N60T

IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode

InfineonInfineon Technologies AG

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IKP15N60T

Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology

InfineonInfineon Technologies AG

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IKP15N60T_07

Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology

InfineonInfineon Technologies AG

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IKP15N60T_15

IGBT in TRENCHSTOP and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode

InfineonInfineon Technologies AG

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IKP15N60TXKSA1

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 30A 130W TO220-3

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IKP15N60T

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 LOW LOSS DuoPack 600V 15A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多IKP15N60T供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-22 20:25:00

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