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MCU04N60

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

MHF04N60CT

SiliconN-ChannelPowerMOSFET

CITCChip Integration Technology Corporation

竹懋科技竹懋科技股份有限公司

MHU04N60

SiliconN-ChannelPowerMOSFET

CITCChip Integration Technology Corporation

竹懋科技竹懋科技股份有限公司

NDD04N60Z

N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDD04N60ZG

N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDD04N60ZG

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

NDF04N60Z

PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

NDF04N60Z

N-ChannelPowerMOSFET1.8,600Volts

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDF04N60Z

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

NDF04N60Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    IKI04N60T

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 IGBT PRODUCTS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
23+
TO-262
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
FAGOR
23+
TO220F
69820
終端可以免費供樣,支持BOM配單!
 詢價
英飛翎
22+
I2PAK(TO262)
6000
十年配單,只做原裝
 詢價
英飛翎
23+
I2PAK(TO262)
6000
原裝正品，支持實單
 詢價
INFINEON
原廠封裝
1000
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨
 詢價
INFINEON
22+
I2PAK(TO262)
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
INFINEON
22+
I2PAK(TO262)
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價
INFINEON/英飛凌
22+
TO-247
15000
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨
 詢價
INFINEON
23+
I2PAK(TO262)
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON
23+
I2PAK(TO262)
7000
詢價
更多IKI04N60T供應商 更新時間2025-7-25 9:51:00

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