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IKB20N60H3

High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IGB20N60H3

600Vhighspeedswitchingseriesthirdgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

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IGP20N60H3

Highspeedswitchingseriesthirdgeneration

HighspeedIGBTinTrenchandFieldstoptechnology Features: TRENCHSTOPTMtechnologyoffering ?verylowturn-offenergy ?lowVCEsat ?lowEMI ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating,halogen-freemouldcompound,RoH

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IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode

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IKW20N60H3

HighspeedDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnology

Features: TRENCHSTOP?technologyoffering ?verylowVCEsat ?lowEMI ?Verysoft,fastrecoveryanti-paralleldiode ?maximumjunctiontemperature175°C ?qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?completeproductspectrumandPSpiceMode

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    IKB20N60H3

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 600v Hi-Speed SW IGBT

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多IKB20N60H3供應(yīng)商 更新時間2025-7-19 22:59:00

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