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IKB03N120H2

HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

?Designedfor: -SMPS -LampBallast -ZVS-Converter ?2ndgenerationHighSpeed-Technologyfor1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IKB03N120H2

IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.8V@IC=3A ·TemperatureStableBehavior ·ParallelSwitchingCapability APPLICATIONS ·Designedforfrequencyinvertersforwashingmachines, pumps,fansandvacuumcleaners

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IKP03N120H2

HighSpeed2-Technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode

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InfineonInfineon Technologies AG

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    IKB03N120H2

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多IKB03N120H2供應(yīng)商 更新時間2025-7-22 23:00:00

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