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IHW30N120R3

分立式IGBT; ? Best-in-class conduction properties in VCEsatand Vf\n? Lowest switching losses, highest efficiency\n? Excellent thermal behavior\n? Tj(max)= 175°C\n? Soft current turn-off waveforms for low EMI\n\n優(yōu)勢:\n? Lowest power dissipation\n? Better thermal management\n? Surge current capability for lower EMI filtering requirements\n? Reduced system costs\n? Highest reliability against peak currents\n;

The?3rd?generation of reverse conducting?1200 V, 30 A TRENCHSTOP? RC-IGBT3 with monolithically integrated reverse conducting diode in a TO-247 package has been optimized for lower switching and conduction losses. Reduced power dissipation together with soft switching behavior allows better thermal performance and EMI behavior resulting in lower system costs. Excellent performance can be achieved at lower costs.\n

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IHW30N120R3

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IHW30N120R3_15

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IHW30N120R3FKSA1

Package：TO-247-3；包裝：散裝 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 60A 349W TO247-3

InfineonInfineon Technologies AG

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技術參數(shù)

  • Technology?：

    IGBT RC Soft Switching

  • Switching Frequency?min?max：

    8.0kHz?60.0kHz

  • Package?：

    TO-247

  • Voltage Class?max：

    1200.0V

  • IC(@100°)?max：

    30.0A

  • IC(@25°)?max：

    60.0A

  • ICpuls?max：

    90.0A

  • Ptot?max：

    349.0W

  • VCE(sat)?：

    1.55V?

  • Eoff(Soft Switching)?：

    0.34mJ?

  • Eoff(Hard Switching)?：

    1.47mJ?

  • td(off)?：

    326.0ns?

  • tf?：

    39.0ns?

  • QGate?：

    263.0nC?

  • IF?max：

    60.0A

  • IFpuls?max：

    90.0A

  • VF?：

    1.6V?

  • VCE?max：

    1200.0V

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INF
19+
TO-247
18000
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Infineon(英飛凌)
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PG-TO247-3
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更多IHW30N120R3供應商 更新時間2025-7-28 16:06:00

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