IHP10T120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IHP10T120 |
| 參數(shù)屬性 | IHP10T120 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 16A 138W TO220-3 |
| 功能描述 | HighSpeed 2-Technology |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
201.5 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
| 中文名稱 | 英飛凌 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-9 12:40:00 |
| 人工找貨 | IHP10T120價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IHP10T120規(guī)格書詳情
IHP10T120屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IHP10T120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
? Designed for:
- TV – Horizontal Line Deflection
? 2nd generation HighSpeed-Technology
for 1200V applications offers:
- loss reduction in resonant circuits
- temperature stable behavior
- parallel switching capability
- tight parameter distribution
- Eoff optimized for IC =3A
- simple Gate-Control
? Qualified according to JEDEC1 for target applications
? Pb-free lead plating; RoHS compliant
? Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
IHP10T120
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
TrenchStop?
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，10A
- 開關(guān)能量：
1.46mJ
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
45ns/520ns
- 測(cè)試條件：
610V，10A，81 歐姆，15V
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO220-3-1
- 描述：
IGBT 1200V 16A 138W TO220-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
infineon |
模塊 |
1520 |
全新原裝正品 數(shù)量多可訂貨 一級(jí)代理優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | |||
Infineon Technologies |
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5000 |
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INFINEON/英飛凌 |
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TO-220 |
10000 |
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