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IKU06N60R

??C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

K06N60

FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledDiode

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

NDF06N60Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NDF06N60Z

NDP06N60Z

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDF06N60Z

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDF06N60Z

N-ChannelPowerMOSFET600V,1.2

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDF06N60ZG

N-ChannelPowerMOSFET600V,1.2

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDF06N60ZG

N-ChannelPowerMOSFET

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N-ChannelPowerMOSFET600V,1.2

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    IHD06N60RA

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    TrenchStop?

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，6A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    150μJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    25ns/125ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，6A，14.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO252-3-11

  • 描述：

    IGBT 600V 12A 88W TO252-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
英飛翎
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原裝正品 可含稅交易
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一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
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JINGDAO/晶導(dǎo)微
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SOD-323
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原裝正品，支持實(shí)單
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原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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更多IHD06N60RA供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 14:00:00

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