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IGP03N120H2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IGP03N120H2
廠商型號

IGP03N120H2

參數(shù)屬性

IGP03N120H2 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3

功能描述

HighSpeed 2-Technology
IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

346.62 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-6 17:39:00

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IGP03N120H2規(guī)格書詳情

IGP03N120H2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IGP03N120H2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IGP03N120H2XKSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,3A

  • 開關(guān)能量:

    290μJ

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    9.2ns/281ns

  • 測試條件:

    800V,3A,82 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-TO220-3-1

  • 描述:

    IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO220-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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