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IGC99T120T8RL分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IGC99T120T8RL
廠商型號

IGC99T120T8RL

參數(shù)屬性

IGC99T120T8RL 封裝/外殼為模具;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 100A DIE

功能描述

1200V trench & field stop technology
IGBT 1200V 100A DIE

封裝外殼

模具

文件大小

338.41 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
INFINEON
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-2 19:03:00

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IGC99T120T8RL價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

IGC99T120T8RL規(guī)格書詳情

IGC99T120T8RL屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IGC99T120T8RL晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    IGC99T120T8RLX1SA3

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.97V @ 15V,100A

  • 輸入類型:

    標準

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    模具

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模具

  • 描述:

    IGBT 1200V 100A DIE

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
三年內(nèi)
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