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IGB01N120H2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
IGB01N120H2 |
參數(shù)屬性 | IGB01N120H2 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2 |
功能描述 | HighSpeed 2-Technology |
封裝外殼 | TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB |
文件大小 |
1.18644 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | INFINEON |
中文名稱 | 英飛凌 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-6 23:00:00 |
人工找貨 | IGB01N120H2價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IGB01N120H2規(guī)格書詳情
IGB01N120H2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的IGB01N120H2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
IGB01N120H2ATMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.8V @ 15V,1A
- 開關(guān)能量:
140μJ
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
13ns/370ns
- 測試條件:
800V,1A,241 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-TO263-3-2
- 描述:
IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
24+ |
TO-263 |
1612 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA/ |
3347 |
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
1A,1200V,不帶D |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
INFINEON |
1531+ |
SOT-263 |
1000 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
TO-263 |
15000 |
英飛凌MOS管、IGBT大量有貨 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | |||
INFINEON |
25+ |
D2PAK(TO- |
12300 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-263 |
8500 |
原廠原包原裝公司現(xiàn)貨,假一賠十,低價出售 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
SOT-263 |
17535 |
原裝進口假一罰十 |
詢價 |