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IFS75B12N3T4_B31中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

IFS75B12N3T4_B31
廠商型號(hào)

IFS75B12N3T4_B31

功能描述

Technische Information / technical information

文件大小

342.97 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

Infineon

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-5 23:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IFS75B12N3T4_B31

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 MIPAQ BASE 1200V 75A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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