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IFS150B12N3T4_B31中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IFS150B12N3T4_B31
廠商型號

IFS150B12N3T4_B31
功能描述

MA3AE12_EVAL – Isolating Amplifier for current measurement with MIPAQTM Base
文件大小

419.08 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商

Infineon
中文名稱

英飛凌
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 23:00:00
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產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    IFS150B12N3T4_B31

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 MIPAQ BASE 1200V 150A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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