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IDW10G65C5_V01

5t h Generation thinQ!TM 650V SiC Schottky Diode

1Description Features ?Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide ?Benchmarkswitchingbehavior ?Noreverserecovery/Noforwardrecovery ?Temperatureindependentswitchingbehavior ?Highsurgecurrentcapability ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedaccordin

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多IDW10G65C5_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-20 8:01:00

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