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IDT71024S20Y集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

IDT71024S20Y
廠商型號

IDT71024S20Y

參數屬性

IDT71024S20Y 封裝/外殼為32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

功能描述

CMOS STATIC RAM 1 MEG (128K x 8-BIT)

封裝外殼

32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

68.84 Kbytes

頁面數量

8

生產廠商

IDT

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-8-15 12:17:00

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IDT71024S20Y規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The IDT71024 is a 1,048,576-bit high-speed static RAM organized as 128K x 8. It is fabricated using IDT’s highperformance, high-reliability CMOS technology. This stateof-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-speed memory needs.

FEATURES:

? 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM

? Commercial (0° to 70°C), Industrial (-40° to 85°C) and

Military (-55° to 125°C) temperature options

? Equal access and cycle times

— Military: 15/17/20/25ns

— Industrial: 15/20ns

— Commercial: 12/15/17/20ns

? Two Chip Selects plus one Output Enable pin

? Bidirectional inputs and outputs directly TTL-compatible

? Low power consumption via chip deselect

? Available in 300 and 400 mil Plastic SOJ, and LCC packages

? Military product compliant to MIL-STD-883, Class B

產品屬性

  • 產品編號:

    IDT71024S20Y

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術:

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    20ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    32-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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