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IDT70824S25G集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IDT70824S25G |
| 參數(shù)屬性 | IDT70824S25G 封裝/外殼為84-BPGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC RAM 64KBIT PARALLEL 84PGA |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM?? |
| 封裝外殼 | 84-BPGA |
| 文件大小 |
205.08 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
21 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IDT |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-2 11:18:00 |
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IDT70824S25G規(guī)格書詳情
描述 Description
The IDT70824 is a high-speed 4K x 16-Bit Sequential Access Random Access Memory (SARAM).
特性 Features
◆ High-speed access
– Military: 35/45ns (max.)
– Commercial: 20/25/35/45ns (max.)
◆ Low-power operation
– IDT70824S
Active: 775mW (typ.)
Standby: 5mW (typ.)
– IDT70824L
Active: 775mW (typ.)
Standby: 1mW (typ.)
◆ 4K x 16 Sequential Access Random Access Memory (SARAM?)
– Sequential Access from one port and standard Random
Access from the other port
– Separate upper-byte and lower-byte control of the
Random Access Port
◆ High speed operation
– 20ns tAA for random access port
– 20ns tCD for sequential port
– 25ns clock cycle time
◆ Architecture based on Dual-Port RAM cells
◆ Compatible with Intel BMIC and 82430 PCI Set
◆ Width and Depth Expandable
◆ Sequential side
– Address based flags for buffer control
– Pointer logic supports up to two internal buffers
◆ Battery backup operation - 2V data retention
◆ TTL-compatible, single 5V (+10) power supply
◆ Available in 80-pin TQFP and 84-pin PGA
◆ Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML
◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IDT70824S25G
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
RAM
- 技術(shù)：
SARAM
- 存儲容量：
64Kb（4K x 16）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
25ns
- 電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
84-BPGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
84-PGA（27.94x27.94）
- 描述：
IC RAM 64KBIT PARALLEL 84PGA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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