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IDM08G120C5

CoolSiC? Schottky Diode; ? 業(yè)內(nèi)出色的正向電壓 (VF)\n? 無反向恢復(fù)電荷\n? VF 的輕度正溫度依賴性\n? 業(yè)內(nèi)出色的沖擊電流能力\n? 優(yōu)異的熱性能\n\n優(yōu)勢:\n? 高系統(tǒng)效率\n? 在低開關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率\n? 在高開關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)更高的功率密度\n? 提高系統(tǒng)可靠性\n? 降低電磁干擾\n;

采用 DPAK real2pin? 封裝的 1200V, 8 A 第五代CoolSiC? 肖特基二極管 為碳化硅肖特基勢壘二極管提供了先進(jìn)的技術(shù)。英飛凌在第二代產(chǎn)品推出時就已引入薄晶圓技術(shù)，現(xiàn)在與新的合并 pn 結(jié)結(jié)合使用，改善了二極管的浪涌能力。 因此開發(fā)出了一系列產(chǎn)品，以極具吸引力的成本提供了市場領(lǐng)先的效率、以及更高的系統(tǒng)穩(wěn)定性。\n

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Silicon Carbide Schottky Diode

IDM08G120C5_15

Silicon Carbide Schottky Diode

IDM08G120C5XTMA1

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：DIODE SCHOTTKY 1200V 8A TO252-2

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SiliconCarbideSchottkyDiode

IDK08G120C5

5thGenerationCoolSiCTM1200VSchottkyDiode

Features ?Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide ?Noreverserecoverycurrent/noforwardrecovery ?Temperatureindependentswitchingbehaviour ?Lowforwardvoltageevenathighoperatingtemperature ?Tightforwardvoltagedistribution ?Excellentthermalperformance ?